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NTR1P02T1中文资料

NTR1P02T1图片

NTR1P02T1外观图

  • 大小:46.65KB
  • 厂家:ONSEMI [ON Semiconductor]
  • 描述:Power MOSFET
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:1A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 1.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):2.3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:2.5nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:165pF @ 5V
  • 功率 - 最大:400mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:NTR1P02T1OS

NTR1P02T1供应商

更新时间:2023-01-06 03:36:48
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